碳化硅(SiC)是由碳和硅组成的化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。它是第三代半导体材料;
碳化硅产业链主要包括衬底、外延、器件设计、制造、封装和测试。
从材料到半导体功率器件,碳化硅将经历单晶生长、铸锭切片、外延生长、晶圆设计、制造、封装等工艺过程;
根据电化学性能的不同,碳化硅衬底材料可分为导电衬底(电阻率区间为15 ~ 30mω·cm)和半绝缘衬底(电阻率高于105ω·cm)。
上市公司碳化硅概念股列表;
三安光电(600703):
公司子公司湖南三安电力电子有限公司的碳化硅芯片产能为6000片/月,硅基氮化镓芯片产能为1000片/月。是国内为数不多的垂直碳化硅产业链制造平台,涉及晶体生长、衬底制作、外延生长、芯片制备和封装。各环节业务进展顺利,拟与国际巨头意法半导体共同成立专门从事碳化硅外延的公司,总投资32亿美元(折合人民币约228亿元)。
2.田玉娥先进(688234):
是国内领先的宽带隙半导体(第三代半导体)衬底材料制造商,主要从事碳化硅衬底材料的研发、生产和销售,掌握了涵盖设备设计、热场设计、粉末合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术,自主研发了不同尺寸的半绝缘和导电碳化硅衬底制备技术;
3.卢晓科技(002617):
公司控股公司合富卢晓分阶段建成6英寸、8英寸导电碳化硅衬底晶圆和外延晶圆量产;
4.托尼电子(603595):
投资年产12万片碳化硅半导体材料。目前公司已获得碳化硅下游优质外延片生产厂家的来料和成品检测结果,反馈良好。
5.斯达半导体(603290):
许多SiC-MOSFET模块项目已经修复。公司布局宽带隙功率半导体器件。在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车工业控制器、光伏行业引入的各种SiC模块得到进一步推广应用。在新能源汽车领域,公司增加了多个采用全SiC MOSFET模块的800V系统主电机控制器项目。
6.士兰威(600460):
Slam明家启动SiC功率器件生产线。2022年7月30日,公司公告称,砰击镓启动化合物半导体二期建设,即“SiC功率器件生产线建设项目”实施。砰击Ga计划建设6英寸SiC功率器件芯片生产线,总投资15亿元,建设周期3年,最终形成年产14.4万片6英寸SiC功率器件芯片(主要产品为SiC MOSFET和SiC D)的生产能力。该项目是实现士兰威在电动汽车和新能源市场整体战略布局的计划之一。
7.时代电气(688187):
在功率半导体器件领域,公司已建成6英寸双极器件、8英寸IGBT、6英寸碳化硅的产业基地,拥有芯片、模块、元器件、应用等一整套自主技术。
8.中国瓷都电子(003031):公司向控股股东收购资产,新增氮化镓通信基站射频芯片及器件、碳化硅功率芯片及其应用。
9.明德电子(300656):
公司参股的浙江景瑞电子科技有限公司主营业务为6、8、12英寸高性能硅外延片的研发、制造和销售,同时开展硅基GaN、SiC外延片的研发和小批量生产。
10.杨洁科技(300373):
该公司主要从事碳化硅芯片器件和封装。目前可批量供应650V和1200V碳化硅D和S器件。
11.麦格米特(002851):
持有8%股权的展新电子是一家致力于碳化硅功率器件及配套芯片产业化的高科技公司。目前已完成国内首个基于6英寸碳化硅晶片的SiC MOSFET和D工艺平台的开发。
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